台积电今日在美国当地举办2024年北美技术论坛，会中首度发表A16制程技术，为2纳米强化版，相较于N2P技术，速度增快8-10%，功耗降低15-20%，预计2026年量产。
台积电指出，随着N3E技术进入量产以及N2技术将在2025年下半年量产，公司也推出新技术A16.其将结合超级电轨架构与纳米片电晶体，利用超级电轨技术将供电网络移到晶圆背面并在晶圆正面释出更多讯号网络的布局空间，藉以提升逻辑密度和效能，让A16适用于具有复杂讯号布线及密集供电网络的高效能运算产品。
相较台积电N2P制程，A16在相同Vdd (工作电压)下，速度增快8-10%，在相同速度下，功耗降低15-20%，芯片密度提升高达1.10倍，以支持数据中心产品。
另外，台积电N2技术预期将搭配NanoFlex技术，NanoFlex为芯片设计人员提供灵活的N2标准组件，为芯片设计的基本构建模块，高度较低的元件能够节省面积并拥有更高的功耗效率，而高度较高的元件则将效能最大化。 客户能够在相同的设计块中优化高低组件组合，调整设计进而在应用的功耗、效能及面积之间取得最佳平衡。
台积电也宣布推出先进的N4C技术以因应更广泛的应用，N4C延续N4P技术，晶粒成本降低高达8.5%且采用门槛低，预计于2025年量产。 N4C 提供具有面积效益的基础 硅智财及设计法则，皆与广被采用的 N4P 完全兼容，因此客户可以轻松移转到 N4C，晶粒尺寸缩小亦提高良率，为强调价值为主的产品提供了具有成本效益的选择，以升级到下一个先进技术。